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메모리전압으로 vdd 또는 vddq 를 선택합니다.

그래픽 카드, TSOP DDR 메모리를 테스트했습니다. VDD 핀은 3.3V, VDDQ 는 2.5V, VREF 는 1.5V 입니다 .....

VDDQ 는 DDR 비디오 메모리에 전원을 공급합니다.

I. 설명

Vcc: c = circuit 은 회로의 의미, 즉 회로에 연결된 전압을 나타냅니다.

Vdd: d = device 는 장치 내부의 작동 전압인 장치의 의미를 나타냅니다.

VSS: S = series 는 공용 * * * 연결을 나타내며, 일반적으로 회로 공용 * * * 지의 끝 전압을 나타냅니다.

둘째, 설명

1. 디지털 회로의 경우 VCC 는 회로의 전원 전압이고 VDD 는 칩의 작동 전압 (일반적으로 VCC >;; Vdd), VSS 는 픽업 장소입니다.

2. 일부 IC 에는 VDD 핀과 VCC 핀이 모두 있어 이 장치에 전압 변환 기능이 있음을 나타냅니다.

3. 전계 효과 트랜지스터 (또는 COMS 장치) 에서 VDD 는 누설 극이고, VSS 는 소스 극이고, VDD 와 VSS 는 전원 전압이 아닌 구성요소 핀을 나타냅니다.

4. 일반적으로 VCC= 아날로그 전원, VDD= 디지털 전원, VSS= 디지털, VEE= 음수 전원 공급 장치.

또 다른 설명:

Vcc 와 Vdd 는 장치의 전원 핀입니다. 양극성 장치의 Vcc 는 양수이고, 단일 레벨 장치의 Vdd 는 대부분 양수입니다. 아래 첨자는 NPN 트랜지스터의 집전극 C 와 PMOS 또는 NMOS FET 의 누출 D 로 해석할 수 있습니다. 마찬가지로 회로도에서 Vee 와 Vss 를 볼 수 있습니다. 같은 의미입니다. 주류 칩 구조는 실리콘 NPN 이기 때문에 Vcc 는 보통 양수이다. PNP 구조를 사용하면 Vcc 가 음수가 됩니다. 칩을 선택할 때는 반드시 전기 파라미터를 똑똑히 보아야 한다.

Vcc 는 컬렉터 전압에서 온 것으로 일반적으로 바이폴라 트랜지스터에 사용됩니다. PNP 트랜지스터는 음의 전원 전압을 가지고 있으며, 때로는 -VCC 라고 표기되어 있고, NPN 트랜지스터는 양수 전압을 가지고 있다.

Vdd 는 MOS 트랜지스터 회로 (일반적으로 전원 공급 장치) 에 사용되는 누설 전압에서 나옵니다. PMOS 트랜지스터는 단독으로 사용되지 않기 때문에 CMOS 회로에서 Vdd 는 PMOS 트랜지스터의 소스 극에 자주 연결됩니다.

Vss 소스 전원 전압은 CMOS 회로의 음수 전원 공급 장치, 단일 전원 공급 장치의 제로 볼트 또는 바닥을 나타냅니다.

Vee 이미 터 전원 전압, 이미 터 전압, 일반적으로 ECL 회로의 음수 전원 전압으로 사용됩니다.

바이폴라 트랜지스터용 * * * 베이스 회로용 Vbb 베이스 전원 전압.

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