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휴대폰 램 ddr4 와 ddr3 의 차이점

작동 주파수 외에도 메모리 속도에도 다양한 지연이 있습니다. 일반적으로 지연 시간이 적을수록 메모리 성능이 향상됩니다. 기억에 큰 영향을 미치는 지연은 명령이다

Rate, CAS, TRCD, TRP, TRAS. 같은 2200MHz 의 작동 주파수에서 DDR4 세대의 지연 시간을 더 작게 설정할 수 있으며 DDR3 보다 성능이 확실히 높습니다. 또한 DDR4 세대의 메모리는 DDR3 세대보다 더 고급스럽고 발열도 DDR3 세대보다 낮습니다. 흥미롭게도, 전체 기계에서 메모리 성능이 좋을수록 좋습니다. 전체 장치에는 프런트 사이드 버스와 같은 다양한 액세서리의 데이터 교환 대역폭이 있기 때문입니다. 프런트 사이드 버스가 1800MHz 인 경우 800MHz 듀얼 채널 메모리 또는 1600MHz 싱글 채널 메모리만 있으면 충분합니다. 이것이 국제 밀라노가 새로운 Nehalem 아키텍처에서 FSB 버스를 포기하고 더 빠른 QPI 버스를 채택한 이유이기도 하다.

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