IRS2902S를 클래스 D 전력 증폭기 드라이버로 사용하고 전계 효과 트랜지스터를 전력 증폭으로 사용하는 경우 게이트에 연결된 다이오드의 역할은 무엇입니까? 전계효과관이라고 하면

IRFB33N15D는 내부 저항이 56mΩ으로 낮고 최대 전류가 33A이며 내전압이 150V인 매우 우수한 MOS 튜브입니다. 물론 DC/DC 변환기에도 자주 사용됩니다. in 디지털 전력 증폭기에도 자주 사용됩니다.

또한

입력 커패시턴스가 2020pF이므로 구동할 때 회로와 마찬가지로 특수 회로를 사용해야 합니다. R29 및 D3 회로도 업계에서 일반적인 방법입니다. 그 기능은 다음과 같습니다.

R29가 없는 경우 Q7의 게이트는 이전 IC 핀에 직접 연결되며 내부는 토템입니다. 극 회로이기 때문에 용량성 부하인 경우 진동이 발생하여 구동 파형이 울릴 수 있습니다. 결과적으로 MOS 튜브가 충분히 켜지지 않고 내부 저항이 크고 효율이 낮습니다.

R29를 직렬로 삽입하면 이러한 종류의 진동, 즉 R29와 후속 MOS 튜브 입력 커패시턴스(Ciss) 사이의 시간 상수가 13ns의 MOS 튜브 턴온 시간보다 훨씬 작습니다. 4.7Ω 2020pF의 시정수는 9.5nS로 요구 사항을 충족합니다.

IRFB33N15D가 표준 회로(R29가 3.6Ω인 것과 동일)로 구동되면 복구 시간이 130nS만큼 길어집니다. 이는 회전 속도를 높이기 위한 MOS 튜브의 일반적인 문제이기도 합니다. -off(이 9.5nS 시간을 얻기 위해), in 꺼질 때 게이트 저항은 0이 될 것으로 예상되므로 쇼트키 다이오드 D3(작동 주파수는 GHz에 가까울 수 있음)을 R29에 역병렬로 연결하여 가속합니다. 해고하다.

IRFB33N15D의 VGS는 실제로 구동될 때 IRS2902S의 작동 전압에 따라 달라지며 실제로 쇼트키 다이오드 D3의 순방향 전압 강하는 약 1.2에 불과합니다. V.(전류는 1A이지만 ΔV/ΔI는 약 0이고 동적 내부 저항은 매우 낮습니다

). Q7과 게이트가 VGS 미만임을 확인할 수 있으며 꺼짐에는 영향이 없습니다.

또한, 동적 내부 저항의 의미를 알아야 합니다. 전원 공급 장치와 마찬가지로 전압 강하가 5V일 수 있지만 내부 저항은 10밀리옴 이상으로 낮을 수 있습니다.