다이오드 애벌런시 항복 시간
30ps. 애벌런치 다이오드는 반도체 구조에서 충돌 이온화와 캐리어의 이동 시간이라는 두 가지 물리적 효과를 사용하여 네거티브 저항을 생성하는 고체 마이크로파 장치입니다. 항복 시간은 30ps~2ms입니다. 정류 다이오드의 도핑 농도는 그다지 높지 않고 PN 접합은 단방향 전도성을 가지며 순방향 저항은 작고 역방향 저항은 큽니다.
30ps. 애벌런치 다이오드는 반도체 구조에서 충돌 이온화와 캐리어의 이동 시간이라는 두 가지 물리적 효과를 사용하여 네거티브 저항을 생성하는 고체 마이크로파 장치입니다. 항복 시간은 30ps~2ms입니다. 정류 다이오드의 도핑 농도는 그다지 높지 않고 PN 접합은 단방향 전도성을 가지며 순방향 저항은 작고 역방향 저항은 큽니다.