NAND 플래시 메모리란 무엇인가요?

플래시 메모리 입자의 저장 밀도 차이로 인해 플래시 메모리는 SLC, MLC, TLC, QLC로 구분됩니다. 쉽게 말하면 낸드플래시 메모리의 기본 원리는 QLC가 용량은 크지만 성능도 떨어진다는 것이다.

SLC: 각 Cell 단위는 1비트의 정보를 저장합니다. 즉, 0과 1의 두 가지 전압 변화만 있습니다. 구조가 간단하고 전압 제어가 빠르며 반영된 특성은 수명이 길고, 강력한 성능과 P/E 수명은 10,000~100,000배이지만, 단점은 용량이 적고 비용이 높다는 것입니다. 결국 Cell 단위는 1bit의 정보만 저장할 수 있습니다.

MLC: 각 셀 단위는 2비트의 정보를 저장하므로 더 복잡한 전압 제어가 필요합니다. 00, 01, 10, 11의 4가지 변형이 있으며 이는 쓰기 성능과 신뢰성도 감소한다는 것을 의미합니다. P/E 수명은 다양한 프로세스에 따라 3000~5000배 범위입니다.

TLC: 각 셀 단위는 3비트의 정보를 저장합니다. 전압은 000에서 001까지 8번 변경됩니다. 용량은 MLC보다 1/3 더 낮지만 아키텍처가 더 복잡합니다. P/E 프로그래밍 시간이 길고 쓰기 속도가 느리며 P/E 수명도 1000~3000배로 줄어들고 경우에 따라 더 낮아질 수도 있습니다. 짧은 수명은 상대적일 뿐입니다. 일반적으로 혹독한 테스트를 거친 TLC 입자는 일반적으로 5년 이상 아무런 문제 없이 사용할 수 있습니다.

QLC는 4bit MLC라고도 합니다. 전압 변화는 16개이지만 용량은 33개 증가할 수 있으므로 TLC에 비해 쓰기 성능과 P/E 수명이 더욱 줄어듭니다. Micron은 특정 성능 테스트에 대한 실험을 수행했습니다. 읽기 속도 측면에서 보면 두 SATA 인터페이스 모두 540MB/S에 도달할 수 있으며, QLC의 쓰기 속도는 좋지 않습니다.

P/E 프로그래밍 시간이 MLC, TLC보다 길고 느리기 때문에 연속 쓰기 속도가 520MB/s에서 360MB/s로 떨어졌고, 랜덤 성능도 9500 IOPS에서 5000 IOPS로 떨어졌습니다. 거의 절반의 손실.

분류

유형별

U 디스크, CF 카드, SM 카드, SD/MMC 카드, 메모리 스틱, XD 카드, MS 카드, TF 카드, PCIe 플래시 메모리 카드.

브랜드별

Silicon Systems(SIS), Kingston, Sony, LSI, SanDisk, Kingmax, Eagletech, Transcend, Patriot, Newman, ADATA, Lenovo, Taipower, MSI, SSK, 삼성, 하이닉스.

위 내용 참고 : 바이두백과사전-플래시메모리