저항 장치 개발 역사

소개

전자 부품은 부품 및 장치의 일반적인 용어입니다. 전자부품: 공장 생산 가공 과정에서 분자가 변하지 않는 전자부품을 말한다.

완제품. 저항기, 콘덴서, 인덕터 등이 있습니다. 전자를 생산하지 않고 전압과 전류에 대한 제어와 변환 작용이 없기 때문에 수동기라고도 한다. 전자부품: 공장 생산 가공 과정에서 분자 구조가 변하는 완제품을 말한다. 트랜지스터, 전자관, 집적 회로 등이 있습니다. 전자를 생성하고 전압과 전류 (확대, 스위치, 정류, 검출, 진동, 변조 등) 를 제어하고 변환할 수 있기 때문에 활성 장치라고도 합니다. ). 분류 기준에 따라 전자장치는 12 범주로 나눌 수 있으며 진공전자와 반도체로 요약할 수 있다. 전자부품의 발전사는 사실 농축된 전자발전사이다. 전자기술은 19 세기 말 20 세기 초에 발전하기 시작한 신기술이다. 그것은 20 세기에 가장 빠르게 발전하여 가장 광범위하게 응용되어 현대 과학 기술 발전의 중요한 상징이 되었다.

이 단락 분류 소개 편집

요약

1. 부품: 공장에서 가공한 제품은 분자 구성에서 변하지 않은 제품으로 전자부품이 없는 부품으로 불릴 수 있습니다.

에너지가 필요한 설비. 여기에는 저항, 콘덴서 및 인덕터가 포함됩니다. (passive components 라고도 함) (1) 회로 부품: 다이오드, 저항 등. (2) 연결 장비: 커넥터, 소켓, 연결 케이블, 인쇄 회로 기판 (PCB) 2. 부품: 공장 생산 및 가공 중 분자 구조가 변하는 부품을 부품이라고 하며 1 과 활성 부품으로 나뉩니다. 주요 특징은 다음과 같습니다. 2. (1) 바이폴라 트랜지스터 (2) 전계 효과 트랜지스터 (3) 사이리스터 (4) 반도체 저항기와 콘덴서로 분할된 개별 장치입니다.

저항기

저항은 회로에서 "R" 과 숫자로 표시됩니다. 예를 들어 R 1 은 1 으로 번호가 매겨진 저항을 나타냅니다. 회로에서 저항의 주요 역할은 션트, 전류 제한, 분압, 바이어스 등입니다.

콘덴서

콘덴서는 일반적으로 회로에서 "C" 에 숫자를 추가하여 표시됩니다 (예: C 13 은 숫자가 13 인 콘덴서를 나타냄). 콘덴서는 서로 인접해 있고 절연 재료로 분리되는 2 층 금속막으로 구성된 구성요소입니다. 커패시턴스의 특성은 주로 DC 와 AC 를 분리하는 것입니다. 전자 부품.

콘덴서는 저장할 수 있는 전기의 양을 말한다. 콘덴서는 내성이라고 하며 AC 신호의 주파수와 커패시턴스와 관련이 있습니다.

트랜지스터 다이오드

결정질 다이오드는 회로에서 일반적으로 "D" 와 숫자를 더하여 표시됩니다. 예를 들어 D5 는 다이오드를 숫자 5 로 나타냅니다. 역할: 다이오드의 주요 특징은 단방향 전도, 즉 DC 전압의 작용으로 전도 저항이 적다는 것입니다. 그러나 역방향 전압의 작용으로 전도 저항이 매우 크거나 무한대이다. 이러한 특성으로 인해 다이오드는 정류, 격리, 전압 조절, 극성 보호, 코딩 제어, 주파수 변조 및 정적 소음과 같은 회로에 자주 사용됩니다. 전화에 사용되는 결정질 다이오드는 정류기 다이오드 (예: 1N4004) 와 절연 다이오드 (예: 1N4 108) 로 나눌 수 있습니다.

센서

전기 감지는 전자 제조에 널리 사용되지는 않지만 회로에서도 마찬가지로 중요합니다. 우리는 인덕턴스가 커패시턴스와 마찬가지로 전기를 자기장 에너지로 변환하여 자기장에 저장할 수있는 에너지 저장 요소라고 생각합니다. 인덕터의 전자 부품

그 기본 단위가 헨리 (H) 이며, 흔히 밀리헨 (mH) 의 단위로 사용됨을 나타낸다. 그것은 항상 콘덴서와 함께 LC 필터, LC 발열기 등을 구성한다. 또한 인덕터의 특성을 이용하여 초크, 변압기, 릴레이 등을 제조한다.

이 조합 회로 편집

집적 회로는 트랜지스터, 저항, 콘덴서 등의 구성요소를 실리콘 라이닝에 통합하여 특정 기능을 갖춘 장치입니다. 영어 약어는 일반적으로 칩으로 알려진 IC 입니다. 아날로그 집적 회로는 주로 콘덴서, 저항, 트랜지스터 등의 구성요소로 구성된 아날로그 신호를 처리하는 집적 회로입니다. 아날로그 집적 회로에는 통합 연산 증폭기, 비교기, 로그 및 지수 증폭기, 아날로그 곱셈기 (나누기), 위상 고정 루프, 전원 관리 칩 등이 많이 있습니다. 아날로그 집적 회로의 주 회로는 증폭기, 필터, 피드백 회로, 참조 회로, 스위치용량 회로 등입니다. 아날로그 집적 회로 설계는 주로 숙련된 디자이너가 인공 회로 디버깅 및 시뮬레이션을 통해 얻은 것으로, 해당 디지털 집적 회로 설계는 대부분 EDA 소프트웨어의 제어 하에 하드웨어 설명 언어를 사용하여 자동으로 통합됩니다. 디지털 집적 회로는 구성요소와 와이어를 동일한 반도체 칩에 통합하는 디지털 논리 회로 또는 시스템입니다. 디지털 집적 회로에 포함된 문이나 부품 및 부품의 수에 따라 디지털 집적 회로는 SSI (소규모의 통합) 회로와 중간 규모의 통합 전자 부품으로 나눌 수 있습니다.

MSI 회로, LSI 회로, VLSI 회로 및 ULSI 회로. 소형 집적 회로는 10 개 이하의 문 또는 100 개 이하의 구성요소로 구성됩니다. 중간 규모 집적 회로에는 10- 100 개의 문이 포함되어 있거나 구성요소 수가100-1000; 대규모 집적 회로에는 100 개 이상의 문이 포함되어 있거나 구성요소 수가 10 에서 10 사이입니다. VLSI 에는 10000 개 이상의 문이 포함되어 있거나 구성요소 수가 10 에서 10 사이입니다. VLSI 의 요소 수는 10 에서 10 사이입니다. 여기에는 기본 논리 문, 트리거, 레지스터, 디코더, 드라이브, 카운터, 성형 회로, 프로그래밍 가능한 논리 장치, 마이크로프로세서, 단일 칩, DSP 등이 포함됩니다.

이 섹션의 개발 기록 편집

전자부품의 발전사는 사실 농축된 전자발전사이다. 전자기술은 19 세기 말 20 세기 초에 발전하기 시작한 신기술이다. 그것은 20 세기에 가장 빠르게 발전하여 가장 광범위하게 응용되어 현대 과학 기술 발전의 중요한 상징이 되었다. 전자 부품

1 세대 전자제품은 전자관을 중심으로 한다. 1940 년대 말 세계 최초의 반도체 트라이오드가 탄생했다. 그것은 작고 가벼우며, 에너지 절약과 수명이 길기 때문에 많은 국가에서 채택되고 있으며, 넓은 범위에서 전자관을 대체했다. 1950 년대 말, 세계 최초의 집적 회로가 출현하여 트랜지스터 등 많은 전자 부품을 실리콘 조각에 통합하여 전자 제품을 더욱 소형화했다. 집적 회로는 소형 집적 회로에서 대규모 집적 회로 및 초대형 집적 회로로 급속히 발전하여 전자 제품을 고효율, 저전력, 고정밀, 높은 안정성 및 지능화 방향으로 발전시킵니다. 전자컴퓨터 발전의 4 단계는 전자기술 발전의 4 단계 특징을 충분히 설명할 수 있기 때문에, 다음은 전자컴퓨터 발전의 4 시대부터 전자기술 발전의 4 단계 특징을 설명한다.

이 전자 전용 자료를 편집하다.

이 단락의 개별 구성 요소에 대한 id 를 편집합니다.

전자 부품은 일반적으로 제품 식별을 사용합니다. 저항과 저항은 회로에서 "R" 과 숫자로 표시됩니다 (예: R 1 숫자 1 으로 저항 표시). 회로에서 저항의 주요 작용은 션트, 전류 제한, 분압, 바이어스 등이다. 1. 매개변수 식별: 저항 단위는 옴 (ω), 확대 단위는 킬로유럽 (kω), 메가유럽 (mω) 등입니다. 변환 방법은 1 메가유럽 = 1000 킬로유럽 =100000ohm 입니다. 저항기의 매개변수 표시에는 직접 표시 방법, 색상 표시 방법 및 숫자 표시 방법의 세 가지 방법이 있습니다. A, 디지털 표기법은 주로 패치와 같은 작은 볼륨 회로에 사용됩니다. 예를 들어 472 는 47× 100ω (예: 4.7K) 를 나타냅니다. 104 는 100K b 를 나타내며, 가장 많은 색상환 치수 방법을 사용합니다. 예: 4 색 링 저항 5 색 링 저항 (정밀 저항) 2. 색상 코드 위치와 저항 배율의 관계는 다음 표와 같습니다. 색상 유효 숫자 배율 허용 편차 (%) 은 /x 0.0 1 10 금 /x0. 1 5 블랙 0+0 콘덴서의 특성은 주로 DC 와 유통 AC 를 차단하는 것이다. 커패시턴스의 크기는 저장할 수있는 전기의 크기를 의미합니다. AC 신호에 대한 커패시턴스의 차단을 내성이라고 하며 AC 신호의 주파수와 커패시턴스와 관련이 있습니다. 콘덴서 XC =1/2FC (F 는 AC 신호의 주파수, C 는 콘덴서) 전화에서 일반적으로 사용되는 콘덴서 유형은 전해 콘덴서, 세라믹 콘덴서, 패치 콘덴서, 단일 슬라이스 콘덴서, 탄탈 콘덴서 및 폴리지방 콘덴서입니다. 2. 감별방법: 커패시턴스의 감별방법은 저항의 감별방법과 거의 동일하며 직접 표준법, 정지점법, 수표법 세 가지로 나뉜다. 콘덴서의 기본 단위는 파라 (F) 이고, 다른 단위는 밀리법 (mF), 마이크로법 (uF), 납법 (nF), 피법 (pF) 입니다. 여기서: 1 법 = 103 밀리법 = 106 마이크로법 = 109 나노법 =/kloc-0-0 10uF/ 16V 와 같이 콘덴서의 용량 값은 문자나 숫자로 표시됩니다. 글자 표시:1m =1000uf1p2 =1.2pf1n 예를 들어 102 는10 ×102pf =1000pf224 는 22 ×/kloc-0 을 의미합니다 3. 결정질 다이오드 결정질 다이오드는 회로에서 일반적으로 "D" 와 숫자를 더하여 표시됩니다. 예를 들어 D5 는 다이오드를 숫자 5 로 나타냅니다. 1, 역할: 다이오드의 주요 특징은 단방향 전도입니다. 즉, DC 전압으로 인해 전도저항이 작습니다. 그러나 역방향 전압의 작용으로 전도 저항이 매우 크거나 무한대이다. 이러한 특성으로 인해 다이오드는 무선 전화기의 정류, 격리, 전압 조절, 극성 보호, 코딩 제어, 주파수 변조 및 정적 소음과 같은 회로에 자주 사용됩니다. 전화에 사용되는 결정질 다이오드는 정류기 다이오드 (예: 1N4004), 절연 다이오드 (예: 1N4 148), 쇼트 키 다이오드 (예: BAT85) 로 나눌 수 있습니다. 식별 방법: 다이오드 식별은 매우 간단합니다. 대부분의 저전력 다이오드의 N 극 (음극) 은 컬러 원으로 표시됩니다. 일부 다이오드는 또한 다이오드 특수 기호를 사용하여 P 극 (양극) 또는 N 극 (음극) 을 나타내고, 다른 다이오드는 "P", "N" 등의 기호를 사용하여 다이오드 극성을 결정합니다. 발광 다이오드의 양극은 핀의 길이로 식별할 수 있으며, 긴 핀은 양수이고 짧은 핀은 음수입니다. 3. 테스트 고려 사항: 디지털 만용표로 다이오드를 테스트할 때, 빨간색 시계 펜은 다이오드의 정극에 연결되고, 검은색 시계 펜은 다이오드의 음극에 연결된다. 이때 측정된 저항은 다이오드의 정방향 전도 저항으로, 포인터 멀티 미터의 터치 핀 연결과는 정반대입니다. 4. 일반적으로 사용되는 1N4000 시리즈 다이오드는 모델11n40021n4003/kloc-0 과 비교된다 50 1 002004006008001000 전류 (a) 모두1입니다. 지나 다이오드는 회로에서 일반적으로 사용되는 "ZD" 와 숫자로 표시됩니다. 예를 들어, ZD5 는 ZD5 를 숫자 5 로 지나 다이오드를 나타냅니다. 1, 지나 다이오드의 레귤레이터 원리: 지나 다이오드는 관통 후 양단 전압이 기본적으로 변하지 않는 것이 특징이다. 이렇게 하면 전압 조절기가 회로에 접근할 때 회로의 각 지점의 전압이 전원 전압 변동 또는 기타 원인으로 인해 변경되는 경우 부하의 양쪽 끝에 있는 전압은 기본적으로 동일하게 유지됩니다. 2. 고장 특성: 지나 다이오드의 고장은 주로 개방, 단락, 안정치가 불안정하다는 것을 보여준다. 이 세 가지 오류 중 하나는 전원 공급 장치의 전압 상승을 보여줍니다. 후자의 두 가지 장애는 전원 전압이 0 볼트로 낮아지거나 출력이 불안정하다는 특징이 있습니다. 일반적으로 사용되는 제너 다이오드 모델 및 조정 값은 모델1N47281N47291N47301N4732/Kloc 입니다. 1n4761v. 회로에서 인덕터는 일반적으로 "L" 에 숫자를 추가하여 표시됩니다. 예를 들어 L6 은 숫자가 6 인 인덕턴스를 나타냅니다. 감응 코일은 절연선을 절연골대에 일정한 회전 수를 감아 만든 것이다. 직류는 코일을 통과할 수 있고, 직류 저항은 와이어 자체의 저항으로, 전압 강하는 매우 작다. AC 신호가 코일을 통과하면 코일의 양쪽 끝에서 자감 전동력이 발생하고, 자감 전동력의 방향은 가외 전압의 방향과 반대로 AC 통과를 방해하므로 인덕터의 특성은 DC 를 통해 AC 에 저항하는 것입니다. 주파수가 높을수록 코일 임피던스가 커집니다. 인덕턴스 및 커패시턴스는 회로에서 발진 회로를 형성 할 수 있습니다. 인덕터는 일반적으로 직접 교정법과 색상 교정법이 있으며, 색상 교정법은 저항과 유사합니다. 예를 들어 갈색, 검은색, 금색, 금색은 1uH 의 인덕턴스 (오차 5%) 를 나타냅니다. 인덕터의 기본 단위는 형 (h) 이고 대체 단위는1h =103mh =106uh 입니다. 자동변용 다이오드는 일반 다이오드에서' PN 접합' 의 결용량 용량이 가역전압의 변화에 따라 변하는 원리에 따라 설계된 특수 다이오드이다. 배리스터는 주로 무선 전화기 중 휴대전화나 유선의 고주파 변조 회로에서 저주파 신호로 고주파 신호를 조절하고 전송하는 데 사용됩니다. 작동 상태에서 가변 다이오드 변조 전압은 일반적으로 음극에 적용되므로 가변 다이오드 내부 접합 커패시턴스가 변조 전압에 따라 변경됩니다. 가변 다이오드 고장은 주로 누전 또는 성능 저하: (1) 누전 시 고주파 변조 회로가 작동하지 않거나 변조 성능이 떨어지는 것으로 나타납니다. (2) 변용 다이오드 성능이 나빠지면 고주파 변조 회로가 불안정하여 변조된 고주파 신호가 상대방에게 전송되어 수신될 때 왜곡된다. 이러한 상황 중 하나가 발생하면 같은 모델의 변용 다이오드를 교체해야 합니다. 7, 트랜지스터는 종종 회로에서 "Q" 와 숫자로 표시됩니다. 예를 들어 Q 17 은 17 로 번호가 매겨진 트랜지스터를 나타냅니다. 1, 특징: 트랜지스터 (트랜지스터라고 함) 는 두 개의 PN 접합 및 확대 기능을 갖춘 특수 장치입니다. NPN 형과 PNP 형으로 나뉘어 있는데, 이 두 트랜지스터는 작동 특성상 서로 보완할 수 있다. OTL 회로에서 소위 카운트튜브는 PNP 와 NPN 유형 페어링에 의해 사용됩니다. 전화에서 일반적으로 사용되는 PNP 트랜지스터는 A92, 90 15 등이다. NPN 트라이오드는 a42,9014, 90 18, 90 13, 90 12 등이 있습니다. 2. 트랜지스터는 주로 확대 회로에 사용되며, 일반적인 회로에는 세 가지 연결 방법이 있습니다. 비교를 용이하게 하기 위해 세 가지 트랜지스터 연결 회로의 특징이 아래에 나열되어 있습니다. 이름 * * * 이미 터 회로 * * 컬렉터 회로 (이미 터 출력) * * * 베이스 회로의 입력 임피던스는 큰 (수백 옴 ~ 수천 옴) 과 작은 (수십 옴 ~ 수십 옴) 이지만 출력 임피던스는 작은 (수천 옴 ~ 수십 옴) 과 큰 (수십 옴 ~ 몇 십 옴) 입니다 전압 증폭 (/kloc-0 미만 및 근접 1) 고전류 증폭 (수십) 대 (수십) 작은 (/kloc-0 미만/및 근접/kloc-0) 특히 전계 효과 튜브는 전체 전자 장비의 입력 수준으로 사용될 수 있으며 일반 트랜지스터가 달성하기 어려운 성능을 얻을 수 있습니다. 2.FET 는 매듭형과 절연격자형으로 나뉘는데, 그 제어 원리는 같다. 두 모형의 기호: 3. FET 와 트랜지스터 비교 (1) FET 는 전압 제어 구성요소이고 트랜지스터는 전류 제어 구성요소입니다. 신호 소스가 작은 전류만 허용하는 경우 전계 효과 트랜지스터를 선택해야 합니다. 신호 전압이 낮고 신호 소스에서 더 많은 전류를 얻을 수 있는 경우 트랜지스터를 선택해야 합니다. (2) FET 가 단극기라고 부르는 이유는 대부분의 유류자 전도를 사용하고 트랜지스터는 다수의 유류자와 소수의 유류자 전도를 모두 사용하기 때문이다. 이를 바이폴라 장치라고 합니다. (3) 일부 전계 효과 트랜지스터의 소스 누출은 서로 바꿔서 사용할 수 있으며, 게이트 전압은 양수 또는 음수일 수 있으며 트랜지스터보다 유연성이 우수합니다. (4) FET 는 작은 전류, 저전압 조건에서 작동할 수 있으며, 그 제조 공정은 많은 FET 를 실리콘 조각에 쉽게 통합할 수 있어 대규모 집적 회로에서 널리 사용되고 있다. 1) 전자 부품: 공장 생산 가공 과정에서 분자 구성을 변경하지 않는 완제품을 말합니다. 저항기, 콘덴서, 인덕터 등이 있습니다. 전자를 생산하지 않고 전압과 전류에 대한 제어와 변환 작용이 없기 때문에 수동기라고도 한다. 분류 기준에 따라 전자 부품은 1 1 클래스로 나눌 수 있습니다. 2) 전자부품: 공장 생산 가공 과정에서 분자 구조가 변한 완제품을 말한다. 트랜지스터, 전자관, 집적 회로 등이 있습니다. 전자를 생성하고 전압과 전류 (확대, 스위치, 정류, 검출, 진동, 변조 등) 를 제어하고 변환할 수 있기 때문에 활성 장치라고도 합니다. ). 분류 기준에 따라 전자장치는 12 범주로 나눌 수 있으며 진공전자와 반도체로 요약할 수 있다. 조정 전압은 3.3v 3.6v 4.7v 5.1v5.6v 6.2v15v 27v 30v 75v 입니다.

광전기라는 단락을 편집하다.

광 네트워크에서 광전자 장치의 발전 추세 차세대 광 전송망의 기본 특징은 초대형 용량이다. 현재 다양한 재사용 기술의 발전으로 볼 때, DWDM (Dwdm) 은 네트워크 용량을 확장하고 유연성을 향상시키는 가장 효과적인 방법으로 간주됩니다. DWDM 을 사용하면 수십 ~ 수백 배 빠르게 확장할 수 있습니다. 최근 몇 년 동안 시장 구동과 기술 돌파의 영향으로 파장 분할 멀티플렉싱 시스템이 매우 빠르게 발전하였다. 따라서 새로 개발된 광학 기기는 어느 정도 파장 분할 재사용과 관련이 있습니다. DWDM 의 발전 아이디어는 항상 더 높은 스펙트럼 효율을 추구하고, 각 채널의 속도를 높이고, 채널 밀도를 높이는 것이다. 현재 대부분의 상용 시스템은 속도면에서 2.5Gbit/s 또는 10Gbit/s 입니다. 속도가 더 빠른 40Gbit/s 시스템이 실제 사용 중이며 2004 년부터 상용 애플리케이션을 시작할 것으로 예상됩니다. 알카트 등 일부 통신사들은 이미 160Gbit/s 전송 실험을 실시했다. 채널 밀도에서 채널 간 파장 격차는 이미 25GHz 로 작았고, 12.5GHz 로 노력하고 있어 현재 상용 시스템의 총 채널 수는 더 큰 용량을 얻기 위해 광섬유에서 분산 및 비선형 효과를 억제하기 위한 조치를 취하는 동시에 이러한 두 가지를 절충해야 하는 경우도 있습니다. 이러한 요구 사항은 모두 장치의 고속, 유연성, 신뢰성 문제를 다루고 있으며, 결국 새로운 원리, 새로운 구조, 새로운 기능을 갖춘 장치가 끊임없이 등장하게 하는 저비용 문제도 고려해야 합니다. 최근 몇 년 동안' 인터넷 경제' 거품이 터지면서 광통신 산업의 자본 지출이 크게 줄어 광통신 산업 체인의 최하층인 광전자 장치 산업이 큰 도전에 직면해 있다. 2002 년 미국 통신용 광전자 기기의 자본지출은 200 1 년 대폭 29% 하락한 기초 위에서 24% 계속 하락할 것으로 예상된다. 한편, 이전에 시장에 대한 맹목적인 낙관론은 광전기의 대량 잔고를 초래했으며, 2003 년까지 계속될 것으로 예상된다. 이 시장 환경에서 광전자 장치의 연구 개발 추세는 주로 다음과 같은 측면에서 나타납니다: (1) 광전자 장치의 기능을 보면 광 네트워크가 더 크고 스마트한 것은 여전히 광전자 장치의 발전 방향이지만 연구 중점만 바뀌었습니다. 시스템 전송 용량의 경우, 광전기의 연구 방향은 단일 광섬유 전송 속도의 돌파구만 추구하는 것이 아니라 전송 시스템의 킬로바이트당 비용을 줄이는 데 초점을 맞출 것이다. (알버트 아인슈타인, Northern Exposure (미국 TV 드라마), 시스템 전송 용량, 시스템 전송 용량 등) 광섬유 전송 용량을 늘리는 세 가지 시나리오: 광 밴드 확장, 광 채널 밀도 증가, 채널 속도 향상. 부품 레벨 연구에서 레이맨 광 증폭기와 EDFA 가 결합된 광대역 증폭기는 시스템이 L 밴드로 확장될 때 가장 유망한 광전기로 간주됩니다. 파장 잠금 레이저, 고전력 패킷 펌프 EDFA 및 고밀도 그룹 필터는 광채널 간격이 50GHz, 25GHz 또는 12.5GHz 로 줄어든 광채널 밀도 전송 시스템의 핵심 부품입니다. 40Gbit/s 고속 광 변조기와 수신기, 동적 분산 보상기, 편광 모드 분산 보상기 등 광전기는 40G 가 됩니다. 이러한 주요 광전기의 성능과 가격은 향후 광 전송 시스템의 설계 옵션에 직접적인 영향을 미치지만, 최근의 중점 제품은 여전히 10Gbit/s 시리즈에 있으며 2.5Gbit/s 제품은 점차 하락할 것입니다. (2) 소형화와 통합은 광전자 장치의 경쟁력을 유지하는 새로운 추세가 되고 있다. 광 전송 장비에서 광전기의 비중이 커지면서 광전기 소형화에 대한 요구도 커지고 있다. 이 장치는 설치 면적이 작고 에너지 소비량이 낮기 때문에 네트워크 운영 비용을 효과적으로 절감할 수 있다. 광전기의 소형화도 통합 기술의 발전을 촉진시켰다. 광전 통합 기술은 광자 구성요소를 구동 전자 칩과 통합할 수 있습니다. 평면 파도 통합 기술은 광 스위치, 조정 가능한 감쇠기, 파장 분할 멀티플렉서/재사용기와 같은 수동 부품을 통합할 수 있습니다. 단일 칩에 하위 시스템 기능을 구현하는 시스템은 개별 장치로 구성된 시스템에 비해 볼륨을 크게 줄일 뿐만 아니라 패키지 비용도 절감합니다. 소형화 광학 장치의 발전에서 레이저/탐지기 등의 광학 장치와 마이크로전자 칩을 다양한 기능을 갖춘 모듈로 조립하는 추세가 크게 가속화되고 있다. 모듈화는 기생 매개변수의 영향을 제거하여 성능을 향상시키고 후속 조립의 프로세스와 비용을 절감할 수 있습니다. 관련 업계의 협력과 표준화도 촉진시켰다. 예를 들어, 1 년 전, 여러 기업들이 10Gbit/s 트랜시버의 빛, 전기, 기계적 성능 기준에 합의하여 이러한 장치의 가격 대비 성능 향상을 크게 촉진했습니다. 기능적으로 FEC (정방향 오류 수정) 및 핫 플러그는 하이엔드 제품에 널리 사용되고 있습니다. 크기면에서 통합 트랜스 폰더 모듈은 기존 플러그인에 비해 크기를 원래 1/ 10 으로 줄이고 전력 소비를 2/3 로 줄일 수 있으며 가격은 1/3 에 불과합니다. 주로 메트로폴리탄 지역 네트워크 및 액세스 네트워크에 사용되는 광 트랜시버 모듈도 이중 SC 에서 캡슐화된 소형 SFF 모듈로 발전하고 있습니다. 이중 SC 패키지보다 보드에 더 작은 부피를 차지하며 1/2 입니다. 광 증폭기의 경우 새로운 EDFA 모듈은 7cm'9cm' 1.2cm (길이' 폭' 높이) 에 불과하지만 24dB 의 게인과 15dBm 의 전력 출력을 제공할 수 있습니다. 모듈화는 마이크로 캡슐 레이저와 비냉각 레이저의 발전을 더욱 촉진시켰다. 현재, 광신호원 레이저뿐만 아니라 전력 펌프 레이저도 비냉방 기술에서 돌파구를 마련했다. 1.20 MW 이하 980nm 비냉각 레이저는 이미 상용화되었습니다. 냉각기 취소로 인해 EDFA 모듈의 전력 소비량이 4.5W 에서 1W 이하로 떨어졌고 부피도 크게 줄었습니다. 최근 EDWA (Erbium Doped Waveguide Optimization Amplifier) 도 평면 도파관에 통합되어 평면 파도 장치 삽입 손실의 큰 단점을 극복하고 보다 복잡한 기능을 갖춘 평면 파도 장치를 만들 수 있다는 점에 유의해야 합니다. (3) 광전기 조립의 자동화 기술은 광전기 부품 비용을 낮추는 열쇠가 될 것이다. 수동 조립은 광전기 부품 원가를 더욱 낮추는 주요 요인이다. 자동 조립은 인건비를 낮추고 생산량을 늘리고 생산 장소를 절약할 수 있기 때문에 광전기 자동 조립 기술에 대한 연구가 광전기 비용을 낮추는 관건이 될 것이다. 광전기 자동 조립의 정확도가 서브 마이크론 규모이기 때문에 자동 조립 생산은 항상 매우 어려운 것으로 여겨졌지만 최근에는 큰 돌파구가 있었다. (데이비드 아셀, Northern Exposure (미국 TV 드라마), 광전기 자동조립명언) 외국 학술지는 VCSEL, 신형 광학 시직기, 자체 정렬 기술 발전을 바탕으로 광학 자동 조립의 돌파구를 마련했으며, 자동 조립을 위한 광전기 설계도 속출하고 있다고 여러 차례 보도했다. 2002 년 OFC 전시회에는 자동포장과 자동초음파 용접기를 생산하는 10 여 개 업체가 있었다. 용접, 정정, 압력 용접 등과 같은 많은 공정은 이전에는 인공조작으로 여겨졌으나 지금은 로봇으로 완성할 수 있다. ElectroniCast 에 따르면 2005 년까지 자동 조립 및 테스트 장비의 매출은 1, 7 1 억 달러, 광전기 생산액의 70 ~ 80% 는 완전 자동 또는 반자동 조립으로 생산될 것으로 예상됩니다. 자동화 생산 라인의 출현은 광전자 산업 발전의 상징이자 필연적이라고 할 수 있다.

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